Компания Samsung Electronics объявила о разработке своего самого большого по емкости модуля памяти DDR5 DRAM объемом 32 Гб, выполненной по технологическому процессу класса 12 нм. Это достижение стало возможным после того, как в мае 2023 года Samsung начала массовое производство DDR5 DRAM объемом 16 Гб класса 12 нм.
Новый продукт Samsung обладает самой высокой в отрасли емкостью для одного чипа DRAM и вдвое превышает емкость DDR5 DRAM 16 Гб при том же размере корпуса.
"Создавая 12-нм DRAM класса 32 Гбит, мы обеспечили решение, которое позволит создавать модули DRAM объемом до 1 Тбайт, что дает нам идеальные возможности для удовлетворения растущих потребностей в DRAM большой емкости в эпоху ИИ и больших данных", — сообщил Сан Джун Хванг, исполнительный вице-президент по продукции и технологиям DRAM компании Samsung Electronics.
Разработав в 1983 году первую 64 Кб память DRAM, компания Samsung за 40 лет сумела увеличить ее емкость в 500 000 раз.
Взяв за основу 12-нм 32-гигабайтную память DDR5 DRAM, компания Samsung планирует продолжить расширение линейки высокопроизводительной памяти DRAM для удовлетворения текущих и будущих потребностей компьютерной и ИТ-индустрии. Samsung подтвердит свое лидерство на рынке DRAM нового поколения, поставляя 12-нм 32-гигабайтную память DRAM в центры обработки данных, а также заказчикам, которым необходимы такие приложения, как искусственный интеллект и вычисления нового поколения. Этот продукт также сыграет важную роль в продолжении сотрудничества Samsung с другими ключевыми игроками отрасли.
Начало массового производства новой DDR5 DRAM 32 Гб класса 12 нм запланировано на конец этого года.
